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内容简介:
氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料,在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍,重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果;系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的思路和方法,并对氧化镓的发展进行了综述和展望。
本书可作为宽禁带半导体材料与器件相关的半导体、材料、化学、微电子等专业研究人员及理工科高校教师、研究生、高年级本科生的参考书或工具书,也可供其他对宽禁带半导体材料氧化镓感兴趣的人员参考。
书籍目录:
第1章氧化镓简介
1.1引言
1.2氧化镓品体的基本性质
1.2.1结构性质
1.2.2光学性质
1.2.3电学性质
1.2.4热学性质
1.3总结与展望
参考文献
第2章氧化镓体块单晶生长
2.1氧化镓单晶提拉法生长
2.1.1提拉法简介
2.1.2提拉法生长氧化物晶体
2.1.3提拉法氧化镓单晶生长探索及进展
2.1.4提拉法晶体生长中的螺旋生长现象
2.2氧化镓单晶导模法生长
……
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中评,比上不足比下有余
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书籍真实打分
故事情节:7分
人物塑造:3分
主题深度:3分
文字风格:7分
语言运用:9分
文笔流畅:3分
思想传递:5分
知识深度:6分
知识广度:5分
实用性:4分
章节划分:5分
结构布局:9分
新颖与独特:8分
情感共鸣:9分
引人入胜:3分
现实相关:3分
沉浸感:9分
事实准确性:7分
文化贡献:8分